Número de Producto del Fabricante:
TSM4NB65CP ROG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM4NB65CP ROG-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
34 Pcs Nuevos Originales En Stock
12899136
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ENVIAR
TSM4NB65CP ROG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
549 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TSM4NB65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM4NB65CP ROGTR-DG
TSM4NB65CP ROGCT-DG
TSM4NB65CP ROGDKR-DG
TSM4NB65CP ROGCT
TSM4NB65CP ROGTR
TSM4NB65CPROGCT
TSM4NB65CPROGTR
TSM4NB65CPROGDKR
TSM4NB65CP ROGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD80R2K8CEATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4870
NÚMERO DE PIEZA
IPD80R2K8CEATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRFIB5N65APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
927
NÚMERO DE PIEZA
IRFIB5N65APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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